涉外洩 DRAM 晶片技術給中國，三星前工程師被捕

韓國警方 3 日表示，一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向中國成都高真科技（CHJS）洩漏 20 奈米 DRAM 記憶體晶片技術，遭逮捕並移送檢方。

韓聯社報導，首爾警察廳產業技術安全偵查隊今天指出，64歲三星電子（Samsung Electronics）前工程師因涉嫌違反「職業安定法」被捕，並移送首爾中央地方檢察廳。

該男曾以顧問身分參與創立成都高真公司，同時期還在韓國成立獵頭公司，以至少兩三倍的優渥薪資挖角三星核心技術人才，協助中國「復刻」動態隨機存取記憶體（DRAM）工廠，並2022年4月成功生產半導體晶圓。

這座DRAM工廠從完工到投產僅費時一年三個月。一般來說，晶圓從測試到量產通常需要四至五年。

韓國警方提到，外流技術的經濟價值高達4兆3,000億韓圜（約新台幣998億元），若考慮相關經濟效益，實際損失規模更加龐大。

除了這名前工程師，還有以相同手法挖角韓國半導體人才的兩位獵頭公司代表及法人被移送法辦。據悉獵頭公司已替成都高真挖角逾30名技術人員。

儘管韓國國家關鍵技術外流，警方只能根據刑責較輕的「職業安定法」、而非「產業技術保護法」來逮捕涉案嫌犯。

警方解釋，根據現行法規，以「挖角」方式外流技術的行為不屬於「產業技術保護法」規定的懲處範圍，因此有必要修法相關法律，以嚴懲商業間諜。

包括前三星工程師，成都高真技術外洩案共21人遭移送法辦。

成都高真創辦人、三星電子前常務兼SK海力士（SK Hynix）前副社長崔珍奭等人已被捕，涉嫌違反「產業技術保護法」及「防止不正當競爭及商業祕密護法」。

（首圖來源：shutterstock）